特許
J-GLOBAL ID：200903073080016959

半導体装置及びその製造方法

発明者：
岩木 賢典

岩木 賢典 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-169540
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357714
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 この発明に係る半導体装置及びその製造方法は、半導体チップの基板側に熱可塑性樹脂を塗布して仮硬化状態として生産性の向上を図るとともに、半導体チップと基板との接着強度を確保することを目的とする。【解決手段】 この発明に係る半導体装置及びその製造方法は、半導体チップの基板側に熱可塑性樹脂を塗布して仮硬化状態とし、その半導体チップを基板に接合するリフロー時又はフェイスダウンボンデイング時の加熱により、熱可塑性樹脂の仮硬化状態を溶融して半導体チップと基板との間に充填するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
複数の配線パッドが設けられた基板と、この基板に対向配置されたパッケージ基板と、このパッケージ基板上の上記基板側に互いに間隔を隔てて設けられた複数のボールグリッドと、上記パッケージ基板の上記基板側と反対側に設けられた半導体チップと、上記基板と上記パッケージ基板との間に充填された接着樹脂とを備え、この接着樹脂は、上記パッケージ基板上の上記ボールグリッド上に塗布し、仮硬化時における加熱により上記複数のボールグリッドの間隔に充填して仮硬化状態とし、この仮硬化状態でそれぞれ上記基板の配線パッドに接続するリフロー時の加熱により、上記仮硬化状態を溶融して上記基板と上記パッケージ基板との間に充填されるようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/34 507
FI (3件)：
H01L 21/60 311 S ,  H05K 1/18 L ,  H05K 3/34 507 C
Fターム (15件)：
5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319BB04 ,  5E319BB20 ,  5E319CC33 ,  5E319CD16 ,  5E319CD25 ,  5E336AA04 ,  5E336CC32 ,  5E336CC36 ,  5E336CC55 ,  5E336EE03 ,  5E336GG09 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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