特許
J-GLOBAL ID：200903073090051906

静電保護素子、静電保護回路及び半導体装置

発明者：
奥島 基嗣

奥島 基嗣 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-323454
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144191
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 静電保護素子のトリガ電圧の低電圧化を簡便な構成で効率良く図ることを課題とする。【解決手段】 トリガ素子として主にMOS素子を用いて、静電気によって生じた電荷を前記MOS素子のトンネル電流Imにより寄生バイポーラトランジスタ11のベース電極Bに補助的に注入することにより、寄生バイポーラトランジスタ11のベース電位を素早く上昇させる。また、確実に、トンネル電流Imを寄生バイポーラトランジスタ11のベース電極Bに注入するため、半導体基板内に低抵抗層を設けること、寄生バイポーラトランジスタ11とトリガ素子との配列を工夫することを提案する。
請求項（抜粋）：
寄生バイポーラトランジスタと、静電気によって生じた電荷を前記寄生バイポーラトランジスタのベース領域に注入するトリガ素子とを隣接して備えたことを特徴とする静電保護素子。
IPC (5件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 27/08 321 H ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K
Fターム (30件)：
5F038AC03 ,  5F038AC14 ,  5F038BH01 ,  5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA00 ,  5F040DA23 ,  5F040DA24 ,  5F040DB01 ,  5F040DB06 ,  5F040DB09 ,  5F040DB10 ,  5F040EB17 ,  5F048AA02 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC10 ,  5F048CC01 ,  5F048CC05 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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