半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358956
公開番号（公開出願番号）：特開平10-198292
出願日： 1996年12月30日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】絶縁表面を有する基板上に、結晶性珪素膜を利用した活性層を有する薄膜トランジスタで構成される回路を有する半導体装置において、高い周波数が印加され、数cm〜数10cmの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。【解決手段】高周波が印加される配線111は、層間絶縁膜107を介して、配線111の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより補助配線106と電気的に並列接続している。補助配線106の形成を、薄膜トランジスタを構成する電極105の形成と同一工程で行うことで、工程数の増加なく、効果的に配線の電気抵抗を低減でき、高周波信号印加時の波形のなまりを低減できる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、結晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタを利用した回路が設けられた半導体装置において、前記回路中に設けられた配線及び/または前記回路に接続された配線のうち、少なくとも1つの配線の少なくとも1部は、層間絶縁膜を介して設けられた補助配線と電気的に並列接続して構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G09F 9/30 330 , G02F 1/133 550 , G02F 1/1345 , G02F 1/136 500 , H01L 29/786

FI (5件)：

G09F 9/30 330 Z , G02F 1/133 550 , G02F 1/1345 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 C

引用特許：

審査官引用 (12件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-075979 出願人：キヤノン株式会社
表示装置の駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-317221 出願人：シャープ株式会社
アクテイブマトリツクス液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-236997 出願人：日本電気株式会社

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