単一トランジスタ型磁気ランダムアクセスメモリ素子及びその駆動方法並びにその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-297028
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163334
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 MRAM素子とその駆動及び製造方法を提供する。【解決手段】基板20にドーパントが各々注入され互いに所定間隔離隔されている第1のドーピング領域D及び第2のドーピング領域S、第1のドーピング領域D及び第2のドーピング領域S間の基板20上に形成されたゲート絶縁膜22、ゲート絶縁膜22上に形成されたMTJ30、MTJ30上に形成され第2のドーピング領域Sと同一方向の第1の方向に延びるワードラインW、第1の方向と直交する第2の方向で第1のドーピング領域Dに接続されるビットラインB、基板20上のゲート絶縁膜22、MTJ30及びワードラインWをビットラインBから絶縁する絶縁層24を備え、第1のドーピング領域D及び第2のドーピング領域S、ゲート絶縁膜22及びMTJ30が単一トランジスタを形成するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上の互いに所定間隔で離隔された領域にドーパントが各々ドーピングされて形成された第1のドーピング領域及び第2のドーピング領域と、前記第1のドーピング領域と第2のドーピング領域との間の半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された磁気トンネル接合(MTJ)と、前記磁気トンネル接合上に形成され、前記第2のドーピング領域と同一方向の第1の方向に延びるワードラインと、前記第1の方向と直交する方向である第2の方向で前記第1のドーピング領域に接続されたビットラインと、前記基板上に順次積層された前記ゲート絶縁膜、磁気トンネル接合及びワードラインを前記ビットラインから絶縁するように被覆する絶縁層とを備え、前記第1のドーピング領域及び第2のドーピング領域、前記ゲート絶縁膜及び磁気トンネル接合が、単一トランジスタとして構成されることを特徴とする単一トランジスタ型磁気ランダムアクセスメモリ素子。

IPC (6件)：

H01L 27/105 , G11C 11/15 110 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 110 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447 , H01L 29/78 371

Fターム (12件)：

5F083FZ10 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA11 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR36 , 5F101BA68 , 5F101BD02 , 5F101BD33 , 5F101BE02 , 5F101BE05

引用特許：

審査官引用 (4件)

マグネチックラム及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-132856 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
トンネル磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気センサー、磁気ヘッド及び磁気メモリー
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-068096 出願人：株式会社日立製作所
磁気抵抗メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-319708 出願人：株式会社東芝

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