特許
J-GLOBAL ID：200903062045105173

マグネチックラム及びその形成方法

発明者：
金 昌錫

金 昌錫 について

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姜 ▲煕▼福

姜 ▲煕▼福 について

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李 善佶

李 善佶 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-132856
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046069
出願日： 2002年05月08日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 MRAMの構造及び形成方法を簡単にすることにより生産性及び特性を向上させることができる、マグネチックラム及びその形成方法を提供する。【解決手段】 ワードラインとゲート酸化膜の間にMTJセルが備えられていることを特徴とするマグネチックラムである。MRAMの構成及び形成工程を単純化することにより、素子の生産性及び特性を向上させることができる技術である。
請求項（抜粋）：
マグネチックラムにおいて、ワードラインとゲート酸化膜の間に抵抗が可変である抵抗素子が備えられていることを特徴とするマグネチックラム。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/15 110 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
G11C 11/15 110 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (6件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA28 ,  5F083KA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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