半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-208375
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032600
出願日： 2004年07月15日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】巨大配線構造部を持つ半導体装置における微細配線構造部に発生する応力を緩和し、駆動電流が大きく高周波で動作する信頼性が高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板11上に、第1配線層と第1絶縁層が交互に積層された微細配線構造部12を設け、その上に、厚さが第1配線層の2倍以上である第2配線層15と、第2絶縁層14とが交互に積層された第1巨大配線構造部13aを設け、更に第1巨大配線構造部13a上に厚さが第1配線層の2倍以上である第3配線層17と、25°Cにおける弾性率が第2絶縁層14より小さい第3絶縁層16とが交互に積層された第2巨大配線構造部13bを設ける。これにより、実装基板への搭載後に半導体装置に発生する応力を第1巨大配線構造部13a及び第2巨大配線構造部13bにおいて効果的に緩和し、微細配線構造部12にかかる応力を低減できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に第1配線層及び第1絶縁層が交互に1又は複数積層された微細配線構造部と、前記微細配線構造部上に第2配線層及び第2絶縁層が交互に1又は複数積層された第1巨大配線構造部と、前記第1巨大配線構造部上に第3配線層及び第3絶縁層が交互に1又は複数積層された第2巨大配線構造部と、を有し、前記第1乃至第3配線層は、夫々絶縁膜と配線を有し、前記第2絶縁層及び前記第3絶縁層は前記第1絶縁層より厚く、前記第3絶縁層の25°Cにおける弾性率は、前記第2絶縁層の25°Cにおける弾性率以下であり、前記第3配線層及び前記第2配線層の厚さは前記第1配線層の厚さの2倍以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 23/522 , H01L 21/768 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 23/12 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (4件)：

H01L21/90 B , H01L27/04 D , H01L23/12 N , H01L21/88 T

Fターム (45件)：

5F033GG02 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN19 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033RR29 , 5F033UU05 , 5F033VV04 , 5F033VV05 , 5F033VV07 , 5F033VV08 , 5F033VV09 , 5F033VV10 , 5F033WW00 , 5F033XX19 , 5F038BE01 , 5F038BE09 , 5F038CD02 , 5F038CD12 , 5F038CD18 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-231927 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-002976 出願人：松下電子工業株式会社
パッケージ構造並びに半導体装置、パッケージ製造方法及び半導体装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-341182 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-145284 出願人：富士通株式会社

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