特許
J-GLOBAL ID：200903073217684962
電界発光素子の陰極電極の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-345321
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164169
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 微細パターンの陰極電極を形成できる電界発光素子の陰極電極の形成方法を提供する。【解決手段】 透明絶縁基板21上に陽極電極22を形成する段階と、前記基板上に、前記陽極電極と交叉し且つピクセル形成領域を限定するストライプ構造の絶縁隔壁23を形成する段階と、前記絶縁隔壁によって所定距離で離隔するように有機薄膜ピクセル24を形成する段階と、前記有機薄膜ピクセルを形成する段階までの結果物の全面にカソード型金属膜25を蒸着する段階と、前記カソード型金属膜にレーザを用いたエッチング工程を実施して、前記絶縁隔壁の所定部分を露出させる陰極電極25aを形成する段階とを含む。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板上に陽極電極を形成する段階と、前記基板上に、前記陽極電極と交叉し且つピクセル形成領域を限定するストライプ構造の絶縁隔壁を形成する段階と、前記絶縁隔壁によって所定距離で離隔するように有機薄膜ピクセルを形成する段階と、前記有機薄膜ピクセルを形成する段階までの結果物の全面にカソード型金属膜を蒸着する段階と、前記カソード型金属膜にレーザを用いたエッチング工程を実施して、前記絶縁隔壁の所定部分を露出させる陰極電極を形成する段階とを含むことを特徴とする電界発光素子の陰極電極の形成方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, H05B 33/14
, H05B 33/22
H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H05B 33/22 Z
3K007AB05
, 3K007AB13
, 3K007AB18
, 3K007BB05
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EA04
, 3K007EB00
, 3K007FA01
