特許

J-GLOBAL ID：200903073227958700

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 大川 和彦 ,  ▲さい▼木 隆行
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044577
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233641
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 高いESD耐圧を確保しながら半導体装置をコンパクト化する。【解決手段】 出力トランジスタ2は、N+領域10をソース領域としN+領域12をドレイン領域とする。バイポーラトランジスタ4は、N+領域12をコレクタ領域としPウェル1をベース領域としN+領域14をエミッタ領域とする。N+領域12とP+領域16の接合により構成されるツェナーダイオードDZを設け、高電圧パルス32の印加時にBPPの代わりにBPをオンさせる。DZのツェナー電圧VZを不純物濃度により制御し、VZを、ドレイン領域でのアバランシェブレークダウン電圧やスナップバック電圧よりも低くし、絶対最大定格電圧以上にする。ゲート長やコンタクトサイズ等をデザインルール上の最小寸法にする。半導体装置の表面に平行な方向での、ツェナーダイオードの接合を広くする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1領域に形成されると共にゲート電極を有し、第2導電型の第1不純物領域をソース領域とし、第2導電型の第2不純物領域をドレイン領域とする第2導電型のFETトランジスタと、前記第1領域に形成され、前記第2不純物領域をコレクタ領域とし、前記第1領域をベース領域とし、前記第2不純物領域と素子分離される第2導電型の第3不純物領域をエミッタ領域とするバイポーラトランジスタと、前記第2不純物領域に隣接する領域であり前記第2、第3不純物領域間の領域に形成される第1導電型の第4不純物領域と、前記第2不純物領域との接合により構成されるツェナーダイオードとを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-016455
  
• 静電放電回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-024280   出願人：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 半導体保護装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-274614   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-225764   出願人：株式会社デンソー