集積回路の製造において異なる高さの金属層の間に配線層間誘電体層を形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原昌典 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-514476
公開番号（公開出願番号）：特表2003-506869
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月18日
要約：

【要約】本発明は、集積回路の製造において、異なる高さの導電性金属層の間に、配線層間誘電体層を設ける方法を含むものである。一実施形態において、集積回路の製造において異なる高さの導電性金属層の間に配線層間誘電体層を設ける方法には、基板上に導電性金属配線層を形成する工程が含まれる。絶縁性誘電体マスは、導電性金属配線層の周辺に設けられる。絶縁性誘電体マスは、第1誘電率を有する。絶縁性誘電体マスの少なくとも大部分は、基板からエッチング除去される。エッチングの後、配線層間誘電体層が、エッチングされた絶縁性誘電体物質の少なくとも幾らかと置き換わるように堆積される。配線層間誘電体層は、第1誘電率よりも小さい第2誘電率を有する。

請求項（抜粋）：

集積回路の製造において異なる高さの導電性金属層の間に配線層間誘電体層を設ける方法であって、該方法は、基板上に、導電性金属配線層を形成する工程と、前記導電性金属配線層の周辺に、第1誘電率を有する絶縁性誘電体マスを設ける工程と、前記基板から、絶縁性誘電体マスの少なくとも大部分をエッチング除去する工程と、前記エッチング工程の後、前記エッチングされた絶縁性誘電体材料の少なくとも幾らかを置き換えるように、前記第1誘電率よりも小さい第2誘電率を有する配線層間誘電体層を堆積する工程と、を具備することを特徴とする方法。

Fターム (31件)：

5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH25 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033MM02 , 5F033MM18 , 5F033NN19 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ18 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW09 , 5F033XX01 , 5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (6件)

集積回路内のメタルインターコネクションの製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-349335 出願人：エステーミクロエレクトロニクスソシエテアノニム, フランステレコム
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-230430 出願人：松下電子工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-101308 出願人：日本電気株式会社

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