特許
J-GLOBAL ID:200903073274460990

リソグラフィ装置及び装置製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  岩本 行夫 ,  吉田 裕
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-328567
公開番号(公開出願番号):特開2005-150734
出願日: 2004年11月12日
公開日(公表日): 2005年06月09日
要約:
【課題】浸漬式リソグラフィ投射装置を提供すること。【解決手段】投射系の最終要素と基板の間に浸漬液を閉じ込めた浸漬式リソグラフィ投射装置を開示する。装置の様々な要素上に疎水性及び親水性の層をともに使用することを開示する。これらの使用は、浸漬液中の気泡形成が防止され、かつ浸漬液に浸漬された後、要素上に残る残渣が低減される助けとすることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
放射線の投射ビームを提供するための照射系と、 投射ビームにその断面においてパターンを付与するように働くパターン化手段を支持するための支持構造と、 基板を保持するための基板テーブルと、 基板の目標部分上にパターン化されたビームを投射するための投射系と、 前記投射系の最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で充填するための浸漬液供給システムとを含み、 前記浸漬液が、(i)最終要素及び/若しくは浸漬液供給システムとの間で60°より小さい接触角を有し、かつ/或いは(ii)前記基板の表面との間で80°より小さい接触角を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
IPC (1件):
H01L21/027
FI (1件):
H01L21/30 515D
Fターム (3件):
5F046BA03 ,  5F046DA07 ,  5F046DA27
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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