特許
J-GLOBAL ID:200903073275317481

表示装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小林 保
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-049885
公開番号(公開出願番号):特開2009-206437
出願日: 2008年02月29日
公開日(公表日): 2009年09月10日
要約:
【課題】 製造の工数を低減できる表示装置の提供。【解決手段】 基板上にp型薄膜トランジスタを備える表示装置であって、 前記p型薄膜トランジスタは、ゲート電極の上面に絶縁膜を介して半導体層が形成され、 前記半導体層の上面に離間部を有して互いに対向配置されるドレイン電極とソース電極とが形成され、前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、p型不純物の拡散層が形成されて構成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上にp型薄膜トランジスタを備える表示装置であって、 前記p型薄膜トランジスタは、 ゲート電極の上面に絶縁膜を介して半導体層が形成され、 前記半導体層の上面に離間部を有して互いに対向配置されるドレイン電極とソース電極とが形成され、 前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、p型不純物の拡散層が形成されて構成されていることを特徴とする表示装置。
IPC (3件):
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/134
FI (6件):
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616J ,  G02F1/1345
Fターム (47件):
2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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