特許
J-GLOBAL ID：200903073277508144

露光方法及び露光装置、それを用いたデバイス製造方法

発明者：
古巻 貴光

古巻 貴光 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-307762
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124308
出願日： 2006年11月14日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】 シミュレーション技術によって前記複数のパラメータを導出し、目標とするパターン像をウェハ表面に形成する露光方法及び露光装置を提供する。【解決手段】 二次光源像の光量分布を測定し、その分布の中心位置と中心位置を通る線で分割された各領域における光量分布とを算出し、中心位置と光量分布との情報を用いて、目標とするパターン像と前記二次光源の光量分布で露光する際に基板上に投影される像との差を計算し、中心位置の目標位置と光量分布の目標値とを設定し、その目標位置及び目標値に基づいて、中心位置及び光量分布を調整する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
光源からの光で二次光源を形成し、該二次光源からの光束でマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンの像を基板上に投影する露光方法において、 前記二次光源の像の光量分布を測定する測定ステップと、 前記測定ステップにおいて測定された前記二次光源像の光量分布から、前記二次光源像の中心位置と前記中心位置を通る線で分割された前記投影光学系の瞳面内の各領域における光量分布とを算出する算出ステップと、 前記算出ステップにおいて算出された前記中心位置と前記各領域における光量分布との情報を用いて、目標とするパターン像と前記光量分布により前記基板上に投影される像との差を計算する計算ステップと、 前記計算ステップにおける計算結果に基づいて、前記中心位置の目標位置と前記各領域における光量分布の目標値とを設定する設定ステップと、 前記設定ステップにおいて設定された前記目標位置及び前記目標値に基づいて、前記中心位置及び前記各領域における光量分布を調整する調整ステップとを備え、 前記調整ステップにおいて調整された二次光源像の光量分布で前記マスクのパターンの像を基板上に投影することを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (3件)：
H01L21/30 515D ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 516D
Fターム (5件)：
5F046BA03 ,  5F046CB05 ,  5F046CB13 ,  5F046CB23 ,  5F046DA02
引用特許：
出願人引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM