特許
J-GLOBAL ID：200903073294588275
多段メサ構造の製作方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030982
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228532
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】エッチングマスクとの密着性の悪い材料を用いる場合でも、サイドエッチング量を制御することができ、所望の断面形状の多段メサ構造の製作方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板11上に、第1のレジストパタン17を形成し、第1のレジストパタン17を用いてキャリア走行層13、光吸収層14、バリア層15、上部電極層16をエッチングして第1のメサ構造を形成し、次に、第2のレジストパタン18を形成し、第2のレジストパタン18を用いてキャリア走行層13、光吸収層14、バリア層15、上部電極層16のうちの一部の上層を少なくとも1層以上選択的にエッチングして第2のメサ構造を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つ以上の半導体層界面の上層に対し下層のメサ面積が大きくなるような形状の多段メサ構造の製作方法において、少なくとも2層以上の異なる半導体層が形成された半導体基板上に、島状の第1のエッチングマスクを形成する工程と、前記第1のエッチングマスクを用いて前記半導体層を2層以上エッチングし、島状の第1のメサ構造を形成する工程と、環状の開口部を有し、かつ前記開口部の内側部が少なくとも前記第1のメサ構造外側部よりも内側に存在する第2のエッチングマスクを形成する工程と、前記第2のエッチングマスクを用いて前記半導体層のうちの一部の上層を少なくとも1層以上選択的にエッチングして島状の第2のメサ構造を形成する工程とを有することを特徴とする多段メサ構造の製作方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 29/06
5F049MA03
, 5F049MB07
, 5F049NA03
, 5F049NB01
, 5F049PA14
, 5F049PA20
, 5F049QA02
, 5F049QA06
, 5F049WA01
審査官引用 (3件)
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受光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-031035
出願人：住友電気工業株式会社
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半導体光集積素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-339437
出願人：日立電線株式会社
-
半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-045991
出願人：光計測技術開発株式会社
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