半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-351698
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189907
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】表面積を増やしてメモリキャパシタの蓄積容量を増やすことができ、必要な蓄積容量を確保しながらメモリキャパシタの占有面積を狭めることが可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】記憶ノード電極を持つメモリキャパシタを有する半導体記憶装置であって、記憶ノード電極31aが半導体基板10に対して垂直な部分Vと斜めに傾いた部分Sとを有する構成とする。

請求項（抜粋）：

記憶ノード電極を持つメモリキャパシタを有する半導体記憶装置であって、前記記憶ノード電極が半導体基板に対して垂直な部分と斜めに傾いた部分とを有する半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-373168
半導体メモリセル及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-091154 出願人：沖電気工業株式会社
特開平4-000755

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