特許

J-GLOBAL ID：200903073387291655

レーザ照射方法およびレーザ照射装置および半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-033877
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306834
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 パルス発振の線状レーザビームを走査させながら照射することで生じる半導体膜の照射ムラを解消し、特性の揃った半導体膜を得る。【解決手段】 半導体薄膜に対するレーザー光の照射による結晶化工程において、レーザ光源として連続発光レーザ発振装置を使う。例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の作製方法において、線状に加工された連続発光エキシマレーザービームを該線方向に垂直な方向に走査させながら半導体膜に照射する。このようにすれば、従来のパルスレーザによる照射跡ができないのでより均質な結晶化が行われる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上の絶縁膜上に成膜された非単結晶半導体膜に連続発光エキシマレーザを照射する方法であって、該連続発光エキシマレーザの出力Lw(W)と、照射面でのスポットサイズSp(cm2)とが、Lw > 1×105Sp、且つ、Sp >2.5×10-5の関係を満たしていることを特徴とするレーザ照射方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (32件)：

5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052GC10 ,  5F052JA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多結晶半導体層の形成方法、多結晶半導体TFT、及びビームアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-228429   出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• レーザー照射システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-027454   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094607   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所