特許

J-GLOBAL ID：200903073387300549

n+界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子

発明者： 趙 重來 ,  李 殷洪 ,  ステファノビッチ・ゲンリク ,  エル・モスタファ・ボーリム
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-125946
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010836
出願日： 2007年05月10日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】n+界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子を提供する。【解決手段】下部電極と、下部電極上に形成されたn+界面層と、n+界面層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、酸化物層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。前記酸化物層は、p型遷移金属酸化物から形成される。前記酸化物層は、Ni酸化物層である。前記n+界面層は、ZnOx、TiOx、IZOxを含む酸素欠乏酸化物と、n型不純物が高濃度でドーピングされたZnO、TiO、IZOのうち少なくともいずれか一つの物質からなる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

下部電極と、 前記下部電極上に形成されたn+界面層と、 前記n+界面層上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、 前記酸化物層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とするn+界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化物電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-097816   出願人：富士通株式会社
• 一つの抵抗体及び一つのダイオードを有する不揮発性メモリ素子及び不揮発性メモリ素子アレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325891   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-147172   出願人：株式会社デンソー