特許
J-GLOBAL ID：200903073494566322

電子線露光用マスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
山下 浩

山下 浩 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-123059
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315641
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 計算処理に要する時間が短縮されると共に、計算精度を向上させることができる電子線ビーム露光用マスク、その製造方法及び前記マスクを使用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 露光対象のウエハと同一材料からなるマスク素材を用意し(ステップQ1)、マスク描画の近接効果補正量を演算する。そして、前記マスク描画の近接効果補正量の2倍の補正量を伴うパターンでウエハ露光時と同一の加速電圧で前記マスク素材のレジスト膜を露光する(ステップQ2)。次いで、前記レジスト膜を現像してレジスト膜パターンを形成し、このレジスト膜パターンをマスクとして前記マスク素材をエッチングすることによりマスクを作成する(ステップQ3)。その後、このマスクを使用して、近接補正することなく、ウエハ上のレジスト膜をEB露光する(ステップQ4)。
請求項（抜粋）：
電子線露光装置に使用されるマスクにおいて、露光対象のウエハと同一の材料により形成され、マスク描画の近接効果補正量の2倍の補正量を伴う描画パターンを有することを特徴とする電子線露光用マスク。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (2件)：
H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 B
Fターム (11件)：
2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H095BB10 ,  2H095BB32 ,  5F056AA06 ,  5F056AA22 ,  5F056CB03 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD03 ,  5F056EA04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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