特許
J-GLOBAL ID:200903073502756322

混成集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 祥泰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-312448
公開番号(公開出願番号):特開平8-148839
出願日: 1994年11月21日
公開日(公表日): 1996年06月07日
要約:
【要約】【目的】 放熱板への熱伝導性が高く,かつ安定して使用することができる,混成集積回路装置を提供すること。【構成】 多層セラミック基板2の表側面に搭載したフリップチップ型素子11と,多層セラミック基板2の裏側面に放熱板接合層18を介して接合した放熱板19とを有している。多層セラミック基板2の裏側面には,フリップチップ型素子11の底部面積よりも大きな面積の放熱用金属薄層17を設けている。多層セラミック基板2には,フリップチップ型素子11の底部から放熱用金属薄層17に向かう複数の伝熱用スルーホール151,152を設けている。伝熱用スルーホールは,フリップチップ型素子11から放熱板19の方向へ向かうに従って増設してあることが好ましい。
請求項(抜粋):
複数のセラミック基板を積層してなる多層セラミック基板と,該多層セラミック基板の表側面に搭載した電子部品と,該多層セラミック基板の裏側面に放熱板接合層を介して接合した放熱板とを有する混成集積回路装置であって,上記多層セラミック基板の裏側面には,上記電子部品の底部面積よりも大きな面積の放熱用金属薄層を設け,上記多層セラミック基板には,上記電子部品の底部から上記放熱用金属薄層に向かう複数の伝熱用スルーホールを設けたことを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/36
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
  • 多層基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-111370   出願人:沖電気工業株式会社

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