特許

J-GLOBAL ID：200903073575442059

チップ型電子部品

発明者： 西澤 薫 ,  山川 大輔
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168177
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357627
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 外部電極が3層で構成されるチップ型電子部品では、Niのメッキ膜で形成される第2層目が、第1層目の電極の範囲を超えてセラミックの素体上にまではみ出して成長し、電極間の短絡や電極間距離の変動が起こり、品質低下の原因となっていた。【解決手段】 外部電極第2層目Niメッキ膜の析出粒子の平均粒径を0.005μm以上1.0μm以下に制御することにより、セラミック素体へのはみ出しのないメッキ膜の形成が可能となった。

請求項（抜粋）：

セラミックを素体とするチップ型電子部品であって、両端に3層からなる外部電極が形成され、該外部電極の素体と接する第1層目は、金属が焼結して形成されたものであり、第2層目は、Ni若しくはCu若しくはこれらの合金のメッキ膜が第1層目を覆うように形成されたものであり、第3層目は、Sn若しくはハンダのメッキ膜が第2層目を覆うように形成されている場合において、該第2層目のメッキ膜を形成する析出粒子の平均粒径が0.005μm以上1μm以下であることを特徴とするチップ型電子部品。

IPC (7件)：

H01G 4/252 ,  H01C 7/00 ,  H01C 7/04 ,  H01F 27/00 ,  H01F 27/29 ,  H01G 4/12 352 ,  H01G 4/38

FI (7件)：

H01G 1/14 C ,  H01C 7/00 B ,  H01C 7/04 ,  H01G 4/12 352 ,  H01F 15/00 D ,  H01F 15/10 B ,  H01G 4/38 A

Fターム (45件)：

5E001AB03 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF00 ,  5E001AF06 ,  5E001AH07 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ03 ,  5E033BC01 ,  5E033BG03 ,  5E033BH02 ,  5E034DA07 ,  5E034DC01 ,  5E034DC09 ,  5E070AA05 ,  5E070AB01 ,  5E070BA12 ,  5E070CB03 ,  5E070CB13 ,  5E070CC01 ,  5E070EA01 ,  5E070EB03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BB01 ,  5E082BC19 ,  5E082DD08 ,  5E082DD09 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG26 ,  5E082GG28 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ05 ,  5E082JJ12 ,  5E082JJ21 ,  5E082JJ23 ,  5E082LL02 ,  5E082LL03 ,  5E082MM22 ,  5E082PP09

引用特許：

出願人引用 (4件)

• チップ形積層セラミックコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-013226   出願人：日立エーアイシー株式会社
• チップ型サーミスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293884   出願人：三菱マテリアル株式会社
• チップ型電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-093744   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-235180   出願人：株式会社村田製作所