特許

J-GLOBAL ID：200903093419404709

半導体素子の製造方法

発明者： 小泉 賢 ,  吉丸 正樹 ,  森 幸博 ,  福田 秀明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社 ,  日本エー・エス・エム株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212004
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064176
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 SiOFからなる絶縁膜の吸湿性を低減し、信頼性の高い半導体素子を得る。【解決手段】 半導体集積回路の層間絶縁膜としてフッ素を含むシリコン酸化膜を用いる半導体素子の製造方法において、前記フッ素を含むシリコン酸化膜を形成する際に、ソースガス11〜13とは別に不活性ガス14を導入する。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の層間絶縁膜としてフッ素を含むシリコン酸化膜を用いる半導体素子の製造方法において、前記フッ素を含むシリコン酸化膜を形成する際に、ソースガスとは別に不活性ガスを導入することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン酸化膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331030   出願人：東亞合成化学工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-045920   出願人：富士通株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-029137   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置のケイ素酸化膜の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-361193   出願人：株式会社高純度化学研究所