特許
J-GLOBAL ID：200903073617736430
電界放出型電子放出素子の製造方法とこれを用いた画像形成装置、及びこれらにより形成された電界放出型電子放出素子または画像形成装置、並びに画像形成装置に用いる基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-025841
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208623
出願日： 1997年01月25日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】再現性の良い均一な形状が得られ、先端を鋭利に形成でき、複数化が容易であること、生産性を向上し、製造コストを低減できること、簡単に駆動回路付き基板上に電子放出素子を形成できる電界放出型電子放出素子及びその製造方法とこれを用いた画像形成装置、及び、並びに画像形成装置に用いる基板を提供する。【解決手段】電界放出型電子放出素子の製造方法は、第1基板上1に設けた複数の凹部3上に形成した素子材料層5を、電界放出型電子放出素子の駆動回路を有する第2基板8上に設けた接合層に接合した後、素子材料層と第1基板とを剥離することにより素子材料層を第2基板上に転写する。画像形成装置は、電界放出型電子放出素子の製造方法により電界放出型電子放出素子アレイを形成し、これに対して更にゲート電極、及びアノード電極と蛍光体を有する前面板を形成する。
請求項（抜粋）：
電界放出型電子放出素子の製造方法であって、第1基板上に設けた複数の凹部上に形成した素子材料層を、電界放出型電子放出素子の駆動回路を有する第2基板上に設けた接合層に接合した後、素子材料層と第1基板とを剥離することにより素子材料層を第2基板上に転写することを特徴とする電界放出型電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 31/12
, H01J 31/15
H01J 9/02 B
, H01J 31/12 C
, H01J 31/15 F
