特許
J-GLOBAL ID：200903076570542712

強誘電体冷陰極、それを備えた電子装置及びその製造方法

発明者：
中本 正幸

中本 正幸 について

, 
大橋 弘通

大橋 弘通 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053408
公開番号（公開出願番号）：特開平8-315724
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体層の厚さを薄くすることなく、低い真空度においても安定で信頼性の高い動作が可能な強誘電体冷陰極、それを備えた電子装置、及び製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 強誘電体材料からなり、先端が尖った凸部からなるエミッタを一方の面に有する強誘電体層と、強誘電体層の一方の面に形成され、エミッタの先端が露出するように開口部を有する第1の電極層と、強誘電体層の他方の面に形成された第2の電極層とを具備することを特徴とする。第1及び第2の電極層間に電圧を印加すると、それによって強誘電体層に分極反転が生じ、その結果、エミッタの先端から電子が放出される。
請求項（抜粋）：
強誘電体材料からなり、先端が尖った凸部からなるエミッタを一方の面に有する強誘電体層と、前記強誘電体層の一方の面に形成され、前記エミッタの先端が露出するように開口部を有する第1の電極層と、前記強誘電体層の他方の面に形成された第2の電極層とを具備することを特徴とする強誘電体冷陰極。
IPC (3件)：
H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12
FI (3件)：
H01J 1/30 Z ,  H01J 9/02 B ,  H01J 31/12 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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