特許
J-GLOBAL ID：200903073647565622

半導体デバイスの製造方法、およびそこで使用される導電性組成物

発明者：
ユーリ エル.ワン

ユーリ エル.ワン について

, 
リチャード ジョン シェフィールド ヤング

リチャード ジョン シェフィールド ヤング について

, 
アラン フレデリック キャロル

アラン フレデリック キャロル について

, 
ケネス ウォーレン ハング

ケネス ウォーレン ハング について


出願人/特許権者：
イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112243
公開番号（公開出願番号）：特開2006-302890
出願日： 2006年04月14日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】電気的性能とはんだの接着性との両方が改善された半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供すること。【解決手段】本発明は、(a)導電性銀粉末と、(b)粒径が7ナノメートルから100ナノメートル未満の範囲内にあるZn含有添加剤と、(c)軟化点が300から600°Cの範囲内にあるガラスフリットとが、(d)有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物を対象とする。 本発明はさらに、半導体デバイスと、p-n接合を有する半導体およびこの半導体の主要面上に形成された絶縁膜からなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法とを対象とし、この方法は、(a)前記絶縁膜上に、上述の厚膜組成物を付着させるステップと、(b)前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むものである。【選択図】図1F
請求項（抜粋）：
a)導電性銀粉末と、 b)粒径が7ナノメートルから100ナノメートル未満の範囲内にあるZn含有添加剤と、 c)軟化点が300から600°Cの範囲内にあるガラスフリットとが、 d)有機媒体中に分散されている ことを特徴とする厚膜導電性組成物。
IPC (4件)：
H01B 1/22 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
H01B1/22 A ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/28 301R ,  H01L31/04 H
Fターム (29件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG05 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051FA30 ,  5G301DA03 ,  5G301DA06 ,  5G301DA07 ,  5G301DA08 ,  5G301DA13 ,  5G301DA15 ,  5G301DA23 ,  5G301DA35 ,  5G301DA36 ,  5G301DA38 ,  5G301DA39 ,  5G301DA40 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01 ,  5G301DE01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 日本国特許出願公開第2001-313400号明細書
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM