半導体装置の層間絶縁膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329913
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163522
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】ホットキャリアによる素子劣化を与えるおそれのない層間絶縁膜を提供する。【構成】半導体デバイスの上層側に、ホウ素とか燐の酸化物を含むシリコン酸化膜などによる層間絶縁膜13を形成し、かつこの層間絶縁膜13上に、ECRプラズマCVD法によるシリコン酸化膜とか、プラズマCVD法,熱分解CVD法によるシリコン窒化膜などのような水分の透過を阻止する能力の高い水分透過防止膜14を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの上層側に、この半導体デバイスを保護するためのホウ素とか燐の酸化物を含むシリコン酸化膜などによる層間絶縁膜を形成すると共に、この層間絶縁膜上に、ECRプラズマCVD法によるシリコン酸化膜とか、プラズマCVD法,熱分解CVD法によるシリコン窒化膜などのような水分の透過を阻止する能力の高い水分透過防止膜を形成したことを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜。

IPC (2件)：

H01L 21/314 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-287151
特開平2-015678
特開平3-083340

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