半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009782
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208775
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】半導体層12と絶縁層6との間の界面特性である半導体層のキャリヤ移動度の低下を防止した半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】活性多結晶シリコンからなる半導体層12と、酸化ケイ素からなる絶縁層6との間に窒化ケイ素からなる界面層5を設けている。窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層12中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層12と絶縁層6との所望の界面特性を満たす。

請求項（抜粋）：

活性多結晶シリコンからなる半導体層と、酸化ケイ素からなる絶縁層との間に窒化ケイ素からなる界面層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/205 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 617 U , H01L 21/205 , H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 21/318 B , H01L 29/78 617 V

Fターム (42件)：

5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045CB02 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045EH14 , 5F058BF02 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF38 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BJ01 , 5F110AA07 , 5F110AA12 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110HJ13 , 5F110HL04 , 5F110NN02 , 5F110NN35 , 5F110PP03

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体薄膜の形成方法及びMOS型トランジスタの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-351438 出願人：ソニー株式会社
特開平4-313240
高移動度薄膜トランジスタ(TFT)の構造及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-245927 出願人：右高正俊

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