薄膜のプラズマアニール

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-356529
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312297
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 PVDの良好な電気拡散抵抗を維持し安定な膜特性を実現しつつ、CVDの高い共形性及び良好な充填性を実現する。【解決手段】プラズマアニールシステムは、CVDチャンバと高周波電源とを有している。また、チャンバ及びウエハ支持のためのサセプタにガスを導入するためのシャワーヘッドが具備される。CVDプロセスで薄膜を堆積した後、シャワーヘッドを介して、窒素水素及びアルゴンを有する混合ガスを導入する。シャワーヘッド及びサセプタはそれぞれ、高周波電源により駆動され、チャンバ内にプラズマを生成する。プラズマからのイオンがウエハ表面上の膜に衝突し、特性を向上させる。プラズマに水素が存在するため、膜及びチャンバ表面に存在する炭素の量が低減する。

請求項（抜粋）：

基板上に膜を処理する方法であって、(i)基板上に材料の層を堆積するステップと、(ii)イオンを含有する環境に該層を曝露するステップと、(iii)該層に電気的バイアスを与えて、該環境からのイオンを該層に衝突させるステップとを有する方法。

IPC (7件)：

H01L 21/324 , H01L 21/02 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (6件)：

H01L 21/324 P , H01L 21/02 Z , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 27/08 321 F

引用特許：

審査官引用 (10件)

薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-081750 出願人：住友金属工業株式会社
バリアメタル層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-011870 出願人：日本電気株式会社
特開平3-135018

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