不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112579
公開番号（公開出願番号）：特開平7-320496
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜や書き込み不良のセルを救済でき、且つ消去シーケンスの簡単化と時間短縮を図れる不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】不良セルをスペアセルに置き換えて救済するリダンダンシ回路を備えたフラッシュメモリにおいて、スペアセルに置き換えるべき不良セルのロウアドレスをリダンダンシROM29に記憶し、入力されたロウアドレスが上記リダンダンシROM29に記憶された不良ロウアドレスと一致するか否かコンパレータ26で監視し、一致した時、リダンダンシROM29に記憶したロウアドレスをアドレスマルチプレクサ22で選択してアドレスバスABに転送するようにしている。セルのコントロールゲートに負電位を印加して消去を行う時、不良ロウを選択して接地電位に固定するので、不良ロウへの負電位の印加を回避でき、絶縁膜不良のセルや書き込み不良のセルを確実に救済することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

不良セルをスペアセルに置き換えて救済するリダンダンシ手段と、スペアセルに置き換えるべき不良セルのアドレスを記憶する不良アドレス記憶手段と、消去時に上記不良アドレス記憶手段に記憶された不良セルのアドレスをチップ内部のアドレスバスに転送する転送手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (7件)：

G11C 29/00 301 , G11C 16/06 , H01L 21/82 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 309 F , H01L 21/82 R , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-214300
特開平4-214300
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249958 出願人：富士通株式会社

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