特許
J-GLOBAL ID：200903073783041769

有機薄膜形成方法

発明者：
庄野 朋文

庄野 朋文 について

, 
山下 一博

山下 一博 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184236
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007579
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 低粘度の有機材料を用いてシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜上に有機薄膜を形成する場合にも、塗布むらの発生を防止して膜厚均一性の優れた有機薄膜を実現できるようにする。【解決手段】 半導体基板10上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜11を形成した後、下地膜11に対して洗浄液12を用いた湿式洗浄処理を行なう。その後、下地膜11に対して遠紫外線13を照射した後、半導体基板10を回転させながら半導体基板10上に液状の有機材料を供給することによって、下地膜11上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜14を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜を形成する工程と、前記下地膜に対して洗浄液を用いた湿式洗浄処理を行なう工程と、前記湿式洗浄処理が行なわれた前記下地膜に対して遠紫外線を照射する工程と、前記基板を回転させながら前記基板上に液状の有機材料を供給することによって、前記遠紫外線が照射された前記下地膜上に厚さ100nm程度以下の有機薄膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする有機薄膜形成方法。
IPC (8件)：
H01L 21/027 ,  B05D 1/40 ,  B05D 3/06 102 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/312
FI (9件)：
B05D 1/40 A ,  B05D 3/06 102 C ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 643 D ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 564 D
Fターム (41件)：
2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025DA34 ,  2H025EA01 ,  2H096AA25 ,  2H096CA01 ,  2H096CA06 ,  4D075AC64 ,  4D075AC92 ,  4D075AC94 ,  4D075AE03 ,  4D075AE27 ,  4D075BB13Y ,  4D075BB20Y ,  4D075BB25Y ,  4D075BB44Y ,  4D075BB45Y ,  4D075BB46Y ,  4D075BB49Y ,  4D075BB65Y ,  4D075BB70Y ,  4D075BB85X ,  4D075CA48 ,  4D075CB02 ,  4D075DA08 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4D075EA45 ,  4D075EC30 ,  5F046HA03 ,  5F046HA07 ,  5F046JA13 ,  5F058AA03 ,  5F058AE02 ,  5F058AE04 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058AH10
引用特許：
審査官引用 (9件)
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