特許
J-GLOBAL ID：200903073841778700
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081541
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275138
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】配線層中のCuが層間絶縁層へ拡散することを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に形成された3.9未満の比誘電率を有する層間絶縁層2と、この層間絶縁層2に形成された溝3に埋め込まれるように形成されている金属配線層6とを具備し、層間絶縁層2と金属配線層6との間に層間絶縁層2とは異なる材料の絶縁層4を具備し、この絶縁層4は金属配線層6の絶縁層4と接触する表面を構成する金属と反応しない材料で構成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された3.9未満の比誘電率を有する層間絶縁層と、この層間絶縁層に形成された溝に埋め込まれるように形成されている金属配線層とを具備する半導体装置において、前記層間絶縁層と前記金属配線層との間に層間絶縁層とは異なる材料の絶縁層を具備し、この絶縁層は前記金属配線層の絶縁層と接触する表面を構成する金属と反応しない材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
H01L 21/90 M
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 R
