特許
J-GLOBAL ID：200903073892329497

窒化物系半導体発光素子

発明者：
國里 竜也

國里 竜也 について

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廣山 良治

廣山 良治 について

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畑 雅幸

畑 雅幸 について

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太田 潔

太田 潔 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-306188
公開番号（公開出願番号）：特開2009-060142
出願日： 2008年12月01日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
【課題】光取り出し効率を向上させることが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体発光素子は、導電性基板1上に形成されたp型窒化物系半導体各層(p型コンタクト層3、p型クラッド層4およびキャップ層5)と、キャップ層5上に形成された活性層6と、活性層6上に形成されたn型窒化物系半導体各層(n型クラッド層7およびn型コンタクト層8)と、n型コンタクト層8上に形成され、n型クラッド層7およびn型コンタクト層8のキャリア濃度(約5×1018cm-3)よりも低いキャリア濃度を有する光透過層9とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性基板の表面上に形成された第1導電型の第1窒化物系半導体層と、 前記第1窒化物系半導体層上に形成された窒化物系半導体層からなる活性層と、 前記活性層上に形成された第2導電型の第2窒化物系半導体層と、 前記第2窒化物系半導体層上に形成される光透過層とを備えた、窒化物系半導体発光素子であって、 前記窒化物系半導体発光素子の光出射面が、凹凸形状の表面を有し、 前記光透過層は、前記第2窒化物系半導体層上の一部領域に形成されており、 前記第2窒化物系半導体層の表面の前記光透過層が形成されていない領域に接触するように形成された電極層をさらに備える、窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
Fターム (14件)：
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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