窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370658
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174193
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】発光の信頼性が高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物系化合物半導体発光素子は、第1窒化物系化合物半導体層、第2窒化物系化合物半導体層、発光層、P型窒化物系化合物半導体層およびP型電極が、この順番に積層された積層体を具備し、該第1窒化物系化合物半導体層には、該第2窒化物系化合物半導体層が露出するように溝が形成されており、少なくとも該溝には、該第2窒化物系化合物半導体層と該発光層に電流を注入するためのパッド電極とを接続するN型電極が設けられている。

請求項（抜粋）：

第1窒化物系化合物半導体層、第2窒化物系化合物半導体層、発光層、P型窒化物系化合物半導体層およびP型電極が、この順番に積層された積層体を具備し、該第1窒化物系化合物半導体層には、該第2窒化物系化合物半導体層が露出するように溝が形成されており、少なくとも該溝には、該第2窒化物系化合物半導体層と該発光層に電流を注入するためのパッド電極とを接続するN型電極が設けられていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Fターム (13件)：

5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041DA07

引用特許：

審査官引用 (9件)

発光素子および発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-153499 出願人：日亜化学工業株式会社
GaN系の半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-280711 出願人：豊田合成株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-193085 出願人：株式会社東芝

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