液晶表示装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-327383
公開番号（公開出願番号）：特開2005-165300
出願日： 2004年11月11日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】従来踏襲されてきた液晶表示装置の製造技術は、基板の全面に各種の被膜を形成し、僅かな領域を残してエッチング除去する工法であり、材料コストを浪費し、多量の廃液を処理することが要求されていた。【解決手段】配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスク層など液晶表示装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、液晶表示装置を製造することを特徴とするものである。選択的にパターンを形成可能な方法として、被形成面に下地処理をし、特定の目的に調合された組成物の液滴を選択的に吐出して所定のパターンを形成することが可能な、液滴吐出法を用いる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

基板上に第1の電極を形成する第1の工程と、前記第1の電極を覆うように第1の絶縁膜を形成する第2の工程と、前記第1の絶縁膜上に第1の半導体層を形成する第3の工程と、前記第1の半導体層上であって前記第1の電極と重なるように第2の絶縁膜を形成する第4の工程と、前記第2の絶縁膜を覆うようにn型の第2の半導体層を形成する第5の工程と、前記第1及び第2の半導体層を島状にパターニングする第6の工程と、前記第2の半導体層上に第2及び第3の電極を形成する第7の工程と、前記第2及び第3の電極をマスクに前記第2の半導体層をエッチングし分離する第8の工程と、前記第3の電極に接するように第4の電極を形成する第9の工程と、を有し、前記電極のいずれか一を形成する工程において、前記電極を液滴吐出法により形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。

IPC (10件)：

G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/35 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786

FI (10件)：

G02F1/1368 , G09F9/00 338 , G09F9/35 , H01L21/28 301R , H01L21/288 Z , H01L29/78 617J , H01L29/78 616K , H01L29/78 612C , H01L29/58 G , H01L21/88 B

Fターム (120件)：

2H092JA26 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092MA12 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092NA27 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104FF13 , 4M104GG20 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094FB04 , 5C094GB10 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033KK03 , 5F033MM05 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP26 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE47 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK32 , 5F110HK34 , 5F110HM17 , 5F110HM18 , 5F110NN13 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09 , 5G435AA17 , 5G435BB12 , 5G435KK05

引用特許：

出願人引用 (1件)

電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-138906 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (6件)

液晶電気光学装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-344402 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-372934
特開平3-034465

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