特許
J-GLOBAL ID：200903073939092415
固体撮像装置およびその製造方法
出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社
松下電子工業株式会社 について
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052318
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252451
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 暗電流の抑制などのために形成される保護膜からの入射光の反射が抑制された固体撮像装置を提供する。【解決手段】 水素含有気体分子を含む雰囲気中でプラズマ化学気相法により成膜された、シリコン窒化膜5と、シリコン窒化膜よりも低い屈折率を有するシリコン窒化酸化膜4,6とが積層された多層膜を、シリコン基板に水素を供給する保護膜20として形成する。保護膜20は、好ましくは、膜厚方向において、その屈折率が連続的に変化するように形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板内に形成された受光部の上方に、水素含有気体分子を含む雰囲気中でプラズマ化学気相法により成膜された、シリコン窒化膜と前記シリコン窒化膜よりも低い屈折率を有する膜とが積層された多層膜を備えていることを特徴とする固体撮像装置。
Fターム (11件)：
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118CA02
, 4M118CA33
, 4M118CA34
, 4M118DA03
, 4M118GB07
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
引用特許：
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