特許
J-GLOBAL ID：200903073958169526
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153092
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320287
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】電気的に書込み/消去可能な不揮発性半導体記憶装置において、書込み/消去の繰り返しによってトンネル酸化膜の界面に溜まった電子、又は、正孔をデトラップさせる。【解決手段】一連の自動消去動作中に書込みと逆方向の第1の電界ストレス、又は、消去と逆方向の第2の電界ストレスを印加する項目を付加する。そうすることにより、書込み時、又は、消去時にトンネル酸化膜の界面に溜まった電子、又は、正孔を引き抜くことができる。
請求項（抜粋）：
電気的に書込み及び消去可能な不揮発性半導体記憶装置において、トンネル酸化膜の界面に溜まった電子又は正孔を、自動消去の動作中に、所定方向の電界ストレスを加えて引き抜く手段を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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