薄膜トランジスタ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212716
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045930
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を抑制する一方十分なオン電流を確保する。【解決手段】薄膜トランジスタは半導体薄膜1と所定のパタンを有するゲート電極2と両者の間に介在するゲート絶縁膜3とを重ねた積層構造を有する。半導体薄膜1にはチャネル領域4、高濃度不純物領域5及び低濃度不純物領域6が設けられている。半導体薄膜1はゲート電極2のパタン内に包含される内側部INとパタン外に位置する外側部OUTとを有している。チャネル領域4は内側部INに形成され、高濃度不純物領域5は外側部OUTに形成される。低濃度不純物領域6はチャネル領域4と高濃度不純物領域5の間に位置し、且つ少なくとも一部は内側部INに包含されている。ゲート電位で低濃度不純物領域6を変調させる様にしてオン電流を下げない様している。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜と、所定のパタンを有するゲート電極と、両者の間に介在するゲート絶縁膜とを重ねた積層構造を有し、該半導体薄膜にチャネル領域、高濃度不純物領域及び低濃度不純物領域を設けた薄膜トランジスタであって、前記半導体薄膜は該ゲート電極のパタン内に包含される内側部とパタン外に位置する外側部とを有し、前記チャネル領域は該内側部に形成され、前記高濃度不純物領域は該外側部に形成され、前記低濃度不純物領域は該チャネル領域と該高濃度不純物領域の間に位置し且つ少なくとも一部は該内側部に包含される事を特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 616 N

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-188633
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-307118 出願人：カシオ計算機株式会社
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-232466 出願人：シャープ株式会社

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