特許

J-GLOBAL ID：200903074046720899

積層構造を用いる単電子トンネルトランジスタ

発明者： 山下 努 ,  金 相宰
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199221
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024244
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 0.1μm以上の加工精度でも、単電子トンネル効果を有する積層構造を用いる単電子トンネルトランジスタを提供する。【解決手段】 積層構造を用いる単電子トンネルトランジスタにおいて、電気伝導層11とトンネル障壁層12を交互に成長させた積層構造からなり、その層の数を50以上となし、1μm角オーダーの微小トンネル接合を具備する。

請求項（抜粋）：

積層構造を用いる単電子トンネルトランジスタにおいて、電気伝導層とトンネル障壁層を交互に成長させた積層構造からなり、該層の数を50以上となし、1μm角オーダーの微小トンネル接合を具備する積層構造を用いる単電子トンネルトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 29/66

FI (2件)：

H01L 39/22 ZAA G ,  H01L 29/66

Fターム (5件)：

4M113AB01 ,  4M113AB11 ,  4M113AB15 ,  4M113AC45 ,  4M113CA35

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 超伝導超格子結晶デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-025512   出願人：宇都宮大学長
• 超電導トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-030420   出願人：株式会社日立製作所
• ジョセフソン素子の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-090339   出願人：郵政省通信総合研究所長