特許
J-GLOBAL ID：200903074083726384

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
加藤 英人

加藤 英人 について

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西川 和弘

西川 和弘 について

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平野 禎典

平野 禎典 について

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竹村 勝也

竹村 勝也 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-114812
公開番号（公開出願番号）：特開2002-006503
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
要約：
【要約】【解決手段】 (A)酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる高分子化合物、(B)酸発生剤、(C)1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物を含有することを特徴とする波長300nm以上の紫外線を露光光源とするレジスト材料。【課題】 本発明のレジスト材料によれば、特に300nm以上の紫外線露光により、高解像度、高感度で、しかも耐メッキ性に優れたパターンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
(A)酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる高分子化合物、(B)酸発生剤、(C)1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物を含有することを特徴とする波長300nm以上の紫外線を露光光源とするレジスト材料。
IPC (9件)：
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/13 ,  C08K 5/42 ,  C08L101/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027
FI (9件)：
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/13 ,  C08K 5/42 ,  C08L101/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (43件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB15 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE01 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H096AA26 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA02 ,  2H096FA01 ,  4J002AA031 ,  4J002BC121 ,  4J002CC041 ,  4J002DF008 ,  4J002EB006 ,  4J002EJ019 ,  4J002EJ039 ,  4J002EJ049 ,  4J002EN028 ,  4J002EN068 ,  4J002EN108 ,  4J002EN118 ,  4J002EP018 ,  4J002EQ016 ,  4J002EU028 ,  4J002EU048 ,  4J002EU058 ,  4J002EU138 ,  4J002EV216 ,  4J002EV236 ,  4J002EV237 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002GP03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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