特許
J-GLOBAL ID:200903074120086242
半導体超微粒子の製造方法及び製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-154764
公開番号(公開出願番号):特開2002-052336
出願日: 2001年05月24日
公開日(公表日): 2002年02月19日
要約:
【要約】【課題】 粒径分布が狭く且つ吸発光特性の優れた半導体超微粒子を生産性良く製造する方法を提供する。【解決手段】 半導体原料を反応器中の液相媒質に注入し、該液相媒質中で半導体結晶を成長させる方法において、反応器が管状流通反応器であり、かつ半導体原料を注入した時点の液相媒質のレイノルズ数が30以上であることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。
請求項(抜粋):
半導体原料を反応器中の液相媒質に注入し、該液相媒質中で半導体結晶を成長させる方法において、反応器が管状流通反応器であり、かつ半導体原料を注入した時点の液相媒質のレイノルズ数が30以上であることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。
IPC (3件):
B01J 19/00
, B01J 8/08
, B01J 8/10 301
FI (3件):
B01J 19/00 N
, B01J 8/08
, B01J 8/10 301
Fターム (26件):
4G070AA03
, 4G070AB10
, 4G070BA02
, 4G070BB11
, 4G070CA06
, 4G070CA07
, 4G070CA21
, 4G070CB05
, 4G070CB30
, 4G070CC02
, 4G070CC03
, 4G070CC06
, 4G070DA30
, 4G075AA27
, 4G075AA62
, 4G075AA63
, 4G075BB05
, 4G075BB10
, 4G075BD16
, 4G075BD22
, 4G075CA02
, 4G075DA01
, 4G075EA06
, 4G075EB21
, 4G075EC06
, 4G075EC11
引用特許: