電界放射型電子源およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316987
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189123
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】電子の放出効率が高い電界放射型電子源を提供する。【解決手段】p形シリコン基板16の主表面に形成したn形領域8aと、導電性薄膜よりなる表面電極7との間に半導体層であるドリフト部6aが設けられる。ドリフト部6aは陽極酸化処理によって多孔質化された領域を有し、多孔質化された領域の厚み寸法は2μmを超えない範囲に設定される。n形領域8aと表面電極7との間に表面電極7を高電位側として電圧を印加すると、ドリフト部6aに作用する電界によりn形領域8aから注入された電子がドリフト部6aをドリフトし表面電極7を通して放出される。ここで、多孔質化された領域の厚みが薄いことによって、多孔質化された領域でのトンネルの確率が向上するとともに散乱される電子が低減し、表面電極7を通して放出される電子の量が大きくなる。

請求項（抜粋）：

一方の電極となる導電性基板と、導電性薄膜よりなり他方の電極となる表面電極と、導電性基板と表面電極との間に設けられ陽極酸化処理により多孔質化された領域を有する半導体層であるドリフト部とを有し、導電性基板と表面電極との間に表面電極を高電位側として電圧を印加したときにドリフト部に作用する電界により導電性基板から注入された電子がドリフトして表面電極を通して放出されるようにし、ドリフト部における多孔質化された領域の厚みを薄くしたことを特徴とする電界放射型電子源。

IPC (4件)：

H01J 1/312 , H01J 9/02 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 M , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 M

引用特許：

出願人引用 (6件)

冷電子放出表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-069602 出願人：パイオニア株式会社, 越田信義
電子放出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-071864 出願人：パイオニア株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-356830 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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審査官引用 (8件)

冷電子放出表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-069602 出願人：パイオニア株式会社, 越田信義
電子放出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-071864 出願人：パイオニア株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-356830 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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