特許

J-GLOBAL ID：200903074236888575

Hf2および第2の化合物を含む組成物、その使用、そのデバイス、および基板上に誘電性層を形成する方法

発明者： エデュアール・カルティエ ,  ジェリー・チェン ,  ジャオ・チャオ
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-165399
公開番号（公開出願番号）：特開2004-161602
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】新しい結晶構造を持ち、高い誘電率を有する組成を提供する。【解決手段】Hf2および第2の化合物を含む新規な組成。前記組成は、立方晶結晶相である。新規な組成は、最高1200°Cまでの温度で安定である。新規な組成は、純粋なHfO2の誘電値より高い誘電値を有する。新規な組成は、メモリコンデンサーアプリケーションでの誘電体のアプリケーションと、トランジスタアプリケーションでのゲート誘電体としてのアプリケーションに使用可能である。【選択図】 図1a

請求項（抜粋）：

立方晶結晶相であることを特徴とするHf2および第 2の化合物を含む組成物。

IPC (5件)：

C01G27/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78

FI (4件)：

C01G27/00 ,  H01L21/316 M ,  H01L27/10 651 ,  H01L29/78 301G

Fターム (42件)：

4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE06 ,  4G048AE08 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BE10 ,  5F058BF06 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF36 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F083AD00 ,  5F083GA06 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083PR13 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 研磨剤および半導体基板の平坦化のための該研磨剤の使用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-513918   出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
• ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-142471   出願人：シャープ株式会社
• 多結晶薄膜とその製造方法およびこれを用いた酸化物超電導導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-338730   出願人：株式会社フジクラ, 財団法人国際超電導産業技術研究センター
• 特開平2-248365
  
• 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-122174   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

引用文献：

審査官引用 (1件)

• The influence of thermal treatment on phase development in ZrO2-Fe2O3 and HfO2-Fe2O3 systems