特許
J-GLOBAL ID：200903074238528266

半導体装置の製造方法

発明者：
鈴木 信明

鈴木 信明 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350708
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189991
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】低温プロセスにおけるボトムゲート型多結晶シリコン薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル領域の非晶質シリコン膜の上に選択的に反射防止膜を設けるに際し、レーザーアニール時に、反射防止膜の下の非晶質シリコン膜にガス抜けによる穴が形成されることを防止する。【解決手段】非晶質シリコン膜5及び反射防止膜6を、夫々、ガスの混入が少ない電子ビーム蒸着法やヘリウムスパッタ法で成膜する。反射防止膜6をゲート電極2に自己整合的にパターニングした後、全面にパルスレーザー8を照射して、非晶質シリコン膜5の結晶化を行う。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、薄膜トランジスタのゲート電極となる金属膜をパターン形成する工程と、前記金属膜の上に、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となる絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に、蒸着法又は不活性ガスによるスパッタ法で、非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜の上に、蒸着法又は不活性ガスによるスパッタ法で、透明膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 29/78 617 N ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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