特許
J-GLOBAL ID：200903074268013422
磁気素子とそれを用いた磁気部品および電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-039344
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238925
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】 大きな磁気抵抗変化率および小さい飽和磁界を有し、かつ微細素子形状に加工しても抵抗値が小さい磁気素子が求められている。【解決手段】 誘電体層12、14で挟持された少なくとも 1層の強磁性層13(または誘電体で分断された強磁性層)と、誘電体層12、14を介して強磁性層13(または誘電体で分断された強磁性層)と積層配置された第1および第2の金属層11、15とを有する積層膜を具備し、第1および第2の金属層11、15のうち少なくとも一方は強磁性体からなり、かつ前記積層膜は強磁性層13(または誘電体で分断された強磁性層)に形成された離散準位を介してスピン偏極トンネル効果を示すものである。この磁気素子は例えば室温下で 30%以上の磁気抵抗変化率を示す。
請求項（抜粋）：
少なくとも 1層の強磁性層と、前記強磁性層を挟持するように配置された誘電体層と、前記誘電体層を介して前記強磁性層と積層配置された第1および第2の金属層とを有する積層膜を具備し、前記第1および第2の金属層のうち少なくとも一方は強磁性体からなり、かつ前記積層膜は前記強磁性層に形成された離散準位を介してスピン偏極トンネル効果を示すことを特徴とする磁気素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/12
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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