特許
J-GLOBAL ID：200903074311918060

微小電気機械システム装置およびその製造方法

発明者：
山崎 宏明

山崎 宏明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (4件)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-136618
公開番号（公開出願番号）：特開2009-279733
出願日： 2008年05月26日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】半導体基板を介してMEMS素子に印加される寄生容量が小さく、信頼性に優れたMEMS装置を提供する。【解決手段】本発明のMEMS装置は、シリコン基板等の半導体基板1と、この半導体基板1上に島状に形成された絶縁塗布層2と、この島状の絶縁塗布層2を覆うように半導体基板2の全面に形成された無機絶縁膜3と、絶縁塗布層2が形成された島状の領域において、無機絶縁膜3上に形成された配線層4のパターンと、配線層4のパターンの上に形成されたMEMS素子5とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に島状に形成された第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層の上面および側面上と、前記基板の上面に形成された、前記第1の絶縁層より膜厚が薄い第2の絶縁膜と、 前記島状の第1の絶縁層において、前記第2の絶縁膜上に形成された配線層と、 前記配線層の上に形成された微小電気機械システム素子と を具備する微小電気機械システム装置。
IPC (2件)：
B81B 3/00 ,  B81C 1/00
FI (2件)：
B81B3/00 ,  B81C1/00
Fターム (6件)：
3C081AA01 ,  3C081BA04 ,  3C081BA44 ,  3C081BA48 ,  3C081CA03 ,  3C081DA29
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
  • MEMSデバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-288366   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-186854   出願人：株式会社東芝

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