半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大日方富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-001324
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175505
出願日： 2005年01月06日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】メーカーの設計負担を増加させることなくセルタイプの異なるICを実現することができるとともに、チップサイズおよび消費電力並びに動作速度が最適化された半導体集積回路を容易に実現可能な設計技術を提供する。【解決手段】所望の機能を有する回路セルの設計情報を目的別にオブジェクトとして記述し、所定のオブジェクトの情報の削除もしくは追加のみで基体電位固定型セルと基体電位可変型セルのいずれをも構成可能なセル情報として、セルライブラリに登録するようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一つの半導体チップ上に、基体電位固定型セルと、基体電位可変型セルと、所定のバイアス電圧を上記基体電位可変型セルに選択的に供給する基体バイアス制御回路とが搭載されてなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (9件)：

H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L21/8244 , H01L27/04 , H01L27/092 , H01L27/10 , H01L27/11 , H03K19/094

FI (11件)：

H01L21/82 D , H01L27/10 461 , H01L27/04 A , H01L27/04 D , H01L27/04 U , H01L21/82 L , H01L21/82 C , H01L27/08 321B , H01L27/08 321F , H01L27/10 381 , H03K19/094 D

Fターム (84件)：

5F038BG09 , 5F038CA02 , 5F038CA03 , 5F038CA17 , 5F038CD02 , 5F038CD03 , 5F038CD04 , 5F038CD16 , 5F038DF01 , 5F038DF04 , 5F038DF05 , 5F038DF07 , 5F038DF08 , 5F038DF11 , 5F038DF17 , 5F038EZ09 , 5F038EZ10 , 5F038EZ12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ20 , 5F048AB04 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BB16 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BE09 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F064AA04 , 5F064BB05 , 5F064BB06 , 5F064BB07 , 5F064BB09 , 5F064BB13 , 5F064BB37 , 5F064CC09 , 5F064DD02 , 5F064DD04 , 5F064DD05 , 5F064EE02 , 5F064EE09 , 5F064EE23 , 5F064EE26 , 5F064EE27 , 5F064EE45 , 5F064EE52 , 5F064FF07 , 5F064FF36 , 5F064GG01 , 5F064HH06 , 5F064HH09 , 5F064HH11 , 5F064HH12 , 5F083BS27 , 5F083KA03 , 5F083LA01 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA17 , 5F083LA18 , 5F083ZA13 , 5J056AA03 , 5J056BB02 , 5J056BB17 , 5J056BB57 , 5J056CC00 , 5J056CC04 , 5J056DD13 , 5J056DD28 , 5J056DD29 , 5J056EE11 , 5J056FF10 , 5J056KK02

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭60-130138号公報

審査官引用 (4件)

半導体回路及びMOS-DRAM
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-282306 出願人：三菱電機株式会社
低消費電力型半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-269248 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-181359 出願人：日本電気株式会社

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