半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-033833
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247405
出願日： 2003年02月12日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】安価なガラス基板を用い、情報量の増加に対応でき、なおかつ高性能で高速動作が可能な集積回路を有する半導体装置の提供を課題とする。【解決手段】異なる基板上に形成された半導体素子を転写することで積層された半導体素子を有する半導体装置であって、積層された半導体素子の間には、樹脂で形成された膜と、部分的に設けられた金属酸化物が存在し、積層された半導体素子の1つに電気的に接続された発光素子において、第1の電気信号を光信号に変換し、積層された半導体素子の異なる1つに電気的に接続された受光素子において、光信号を第2の電気信号に変換することを特徴とする半導体装置。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

積層された半導体素子を有する半導体装置であって、前記積層された半導体素子の間に樹脂で形成された膜が存在し、前記積層された半導体素子どうしの信号の送受は、各半導体素子に電気的に接続された発光素子または受光素子を用いて行なわれることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L27/00 , H01L27/12 , H01L27/146 , H01L27/15 , H01L29/786 , H01L31/12

FI (6件)：

H01L27/00 301C , H01L27/12 B , H01L27/15 T , H01L31/12 D , H01L29/78 613Z , H01L27/14 C

Fターム (78件)：

4M118BA02 , 4M118BA05 , 4M118CA02 , 4M118CA32 , 4M118CB06 , 4M118CB14 , 4M118FB13 , 4M118FB24 , 4M118FC02 , 4M118FC06 , 4M118FC15 , 4M118HA02 , 4M118HA11 , 4M118HA19 , 4M118HA21 , 4M118HA24 , 4M118HA25 , 4M118HA29 , 4M118HA30 , 4M118HA31 , 4M118HA35 , 5F089AA06 , 5F089AB03 , 5F089AB11 , 5F089AC19 , 5F089CA12 , 5F089EA01 , 5F089FA03 , 5F089FA05 , 5F089GA08 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110AA09 , 5F110BB03 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB11 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP13 , 5F110PP34 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ30

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-274062 出願人：ソニー株式会社
特開昭58-037977
特開昭58-090764

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