特許
J-GLOBAL ID:200903074393977735

光起電力発生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-355640
公開番号(公開出願番号):特開2003-204070
出願日: 2002年12月06日
公開日(公表日): 2003年07月18日
要約:
【要約】【課題】 ターンオン時間を大きく増大させずにターンオフ時間を減らすことができる光起電力発生装置を提供すること。【解決手段】 SOI N-層上に構築される光起電力発生装置であって、SOI N-層は、一連の分離され接続されたタブに再分割され、分離されたタブがトレンチウェルのマトリックスによって再分割される光起電力発生装置である。P+接合部が各ウェルの頂面に形成され、それぞれのウェルの光起電力接合部を規定する。
請求項(抜粋):
絶縁性支持ウェハと、該絶縁性支持ウェハ上に配置され、該絶縁性支持ウェハから絶縁された第1の導電型を有する単結晶シリコン層と、該単結晶シリコン層を突き抜けて、該単結晶シリコン層を横方向に分離された複数のウェルに分割する誘電体バリアウェブと、前記各ウェルは、第2の導電型を有する浅い拡散部を有し、これによって、前記光起電力発生装置の表面の照射に応答して出力電圧を発生する接合部を備え、頂面から前記単結晶シリコン層の全厚みの少なくとも一部分を通り抜け、間隔をあけて配置された複数のトレンチウェルとを備えたことを特徴とする光起電力発生装置。
Fターム (8件):
5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088BA02 ,  5F088BB10 ,  5F088DA01 ,  5F088DA17 ,  5F088GA04 ,  5F088GA09
引用特許:
出願人引用 (12件)
  • 米国特許第4721986号明細書
  • 米国特許第5549792号明細書
  • 米国特許第5973257号明細書
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