特許

J-GLOBAL ID：200903074415434617

半導体装置のキャパシターの製造方法

発明者： 李 起 正 ,  梁 洪 善
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-387573
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237399
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 優れた電気的特性を有するとともに、高容量を確保し得る半導体装置のキャパシターの製造方法を提供することを主な目的とする。【解決手段】 半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上に非晶質TaON薄膜を形成した後、NH3雰囲気中で熱処理工程を実施してTa3N5誘電体膜を形成する段階と、前記Ta3N5誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシターの製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上に非晶質TaON薄膜を形成した後、NH3雰囲気中で熱処理工程を実施してTa3N5誘電体膜を形成する段階と、前記Ta3N5誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシターの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 621 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-072504   出願人：ソニー株式会社
• タンタルを含む高誘電体膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-072505   出願人：ソニー株式会社
• 窒化タンタル(V)顔料の製造方法、その顔料およびその使用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-359335   出願人：ツェルデックアクチェンゲゼルシャフトケラーミッシェファルベン
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-027061   出願人：日本電気株式会社