特許
J-GLOBAL ID：200903074415482727
プラズマ処理装置および処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-054551
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319920
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】高速の半導体回路を大口径ウエハで高歩留まりで加工できるプラズマ処理装置と方法を提供する。【解決手段】被処理基板に対抗する電極表面絶縁膜の厚さを部分的に変え、絶縁膜内に電極を設け、バイパスされたバイアス電流を供給する。被処理基板に隣接する材料に対向する電極表面絶縁膜内に電極を設け、バイパスされたバイアス電流を供給する。
請求項（抜粋）：
被処理基板と該被処理基板の主裏面に隣接する材料(23;41)にバイアス電力を印加可能なプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法は以下のステップを含む:プラズマ被処理基板を載置する電極を設けること;プラズマから被処理基板(ウエハ)に入射する電子が面内均一になるように、前記電極の場所に応じてバイアス電力の給電インピーダンスを変えること。
Fターム (7件)：
5F004AA06
, 5F004BA16
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004BB29
, 5F004CA03
, 5F004DB03
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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