薄膜気相成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-292565
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135154
出願日： 1996年11月05日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】薄膜気相成長方法に関し、薄膜を気相成長させる工程と工程の間に、原料供給系を取り外すことなく付着物を除去する。【解決手段】基板上へ薄膜を成長させる工程と工程の間に、原料供給系1へ液体洗浄剤2を供給する。

請求項（抜粋）：

基板上へ薄膜を成長させる工程と工程の間に、原料供給系へ液体洗浄剤を供給することを特徴とする薄膜気相成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 , C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/44 C , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

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