特許

J-GLOBAL ID：200903074446370170

インジウムスズ酸化膜の製造方法

発明者： 菱田 光起
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-199289
公開番号（公開出願番号）：特開2003-016858
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 エッチングレートが高く、かつ低抵抗で高透過率のITO膜を実現すること。【解決手段】 インジウムスズ酸化物(ITO)膜を常温かつ水添加雰囲気で成膜し、成膜後、180°C程度以上、1時間程度以上の熱処理を施す。水添加雰囲気は、成膜室内の水総分圧8.2×10-3パスカル程度以下とすることで後工程でのアニールによる膜質改善効果を発揮でき、また、成膜室内の水総分圧3.20×10-3パスカル以上とすることで、アモルファスのITO膜を成膜することができ、成膜後エッチング処理を迅速に行うことを可能とする。成膜後(パターニング後)の熱処理は、180°C程度以上(例えば、220°C程度)の温度で、1時間程度以上(例えば1時間程度〜3時間程度)の条件とすることが適切であり、これにより、膜は多結晶化され、また低抵抗で高透過率のITO膜が得られる。

請求項（抜粋）：

インジウムスズ酸化膜を常温かつ水添加雰囲気で成膜し、成膜後、180°C程度以上、1時間程度以上の熱処理を施すことを特徴とするインジウムスズ酸化膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01B 13/00 503 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (4件)：

H01B 13/00 503 B ,  C23C 14/08 D ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z

Fターム (28件)：

4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC04 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029GA01 ,  4M104AA01 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD41 ,  4M104DD61 ,  4M104DD64 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104GG04 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5G323AA03 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06 ,  5G323BC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 透明導電膜およびそれを用いた半導体装置ならびにその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-315502   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 透明導電積層体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-297946   出願人：帝人株式会社
• 特開平2-163363
  
• 透明導電性膜の形成方法、アレイ基板および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-222484   出願人：株式会社東芝